Middle Ring Heating Plate for MOCVD Heaters
Product Introduction
텅스텐은 희귀 금속으로, 높은 융점과 뛰어난 고온 강도, 크리프 저항성, 열전도도, 전기전도도, 그리고 전자 방출 능력을 특징으로 합니다.
순수 텅스텐 제품은 99.97% 이상의 순도와 19.35 g/cm³의 밀도를 달성할 수 있으며, 이는 이론적 밀도의 99.9%에 해당합니다.
순수 텅스텐에 대한 합금 처리는 고온 크리프 저항성을 효과적으로 향상시켜, 가열 플레이트 사용에 더욱 적합하게 만듭니다.
Product Application
MOCVD 에피택시 반도체층은 가능한 한 동일한 파장을 방출하는 빛을 필요로 합니다. 이 목표를 달성하기 위한 중요한 조건은 MOCVD 시스템 내에서 균일한 온도 분포를 실현하는 것입니다. 온도 프로파일의 차이는 후속 발광에서 변색을 초래할 수 있습니다. MOCVD 히터 내부에서 가열 플레이트는 2000°C 이상의 온도에 도달하며, 이는 매우 긴 수명을 보장합니다.
Product Specifications
다양한 주요 제조업체의 MOCVD 장비 모델에 맞는 다양한 텅스텐 가열판을 제공하며, 특정 장비 온도필드 설계에 따라 맞춤 제작도 가능합니다.
Fabrication Process
