텅스텐 스퍼터링 타겟은 마그네트론 스퍼터링 공정을 통해 다양한 기판에 텅스텐 코팅을 형성할 수 있습니다. 이 코팅은 TFT-LCD에 사용되는 박막 트랜지스터 부품입니다. 텅스텐은 몰리브데넘보다 융점이 높아 안정성이 뛰어나며, 따라서 대형 스크린에 더 적합하여 고객의 더 높은 화질 선명도와 대비 요구를 충족합니다. 우리는 내화 금속용 첨단 초대형 압연기인 2100mm 단일 스탠드 4롤 가역 열간 압연기를 사용하여 광범위한 텅스텐 스퍼터링 타겟을 생산하며, 이는 더 안정적인 코팅 공정과 높은 증착층 품질을 제공합니다. 텅스텐 스퍼터링 타겟은 다음과 같은 특성을 갖습니다:

초고순도(Ultra-high purity)

타겟의 순도가 높을수록 PVD 중 이상 입자 발생 확률이 낮아지고 스퍼터링된 필름의 성능이 향상됩니다. 

재료 내 불순물은 필름 증착의 주요 오염원으로, 엄격히 관리되어야 합니다. 

순수 텅스텐 타겟의 텅스텐 함량은 99.97% 이상으로, 스퍼터링된 필름의 품질을 완벽히 보장하여 각 픽셀이 완벽하게 작동하도록 합니다.

초고밀도(Ultra-high density)

고밀도 타겟은 더 높은 스퍼터링 수율을 제공하여 단위 시간당 스퍼터링 면적을 증가시킬 수 있습니다. 

대규모 압연 변형을 통해 거의 100% 밀도를 갖춘 텅스텐 타겟을 구현하며, 밀도는 19.3g/cm³에 달합니다. 

이는 고체에서 기공이 갑작스럽게 방출되어 발생하는 입자 스퍼터링을 크게 줄여 필름 품질을 향상시킵니다.

미세하고 균일한 입자 크기(Fine and uniform grain size)

동일한 유형의 타겟에서 입자가 미세할수록 스퍼터링 속도가 빠르며, 균일한 결정 입자 분포를 가진 스퍼터 증착 필름은 두께가 일정합니다. 

특수 공정을 통해 제조된 타겟은 미세하고 균일한 입자 크기를 제공합니다. 

압연 방향에 수직한 입자 크기는 약 50μm이며, 압연 방향을 따라가는 입자 크기는 100μm 미만입니다.

다양한 타겟 유형 선택(Wide selection of target types)

형상에 따라 텅스텐 사각 타겟, 텅스텐 바 타겟, 텅스텐 튜브 타겟으로 분류된 다양한 텅스텐 스퍼터링 타겟을 제공하며, 재료에 따라 순수 텅스텐 타겟과 텅스텐 합금 타겟으로도 나뉩니다.

WTi 타겟(WTi targets)

WTi 타겟은 주로 CIGS 박막 태양전지 분야에서 사용됩니다. 텅스텐의 고밀도와 티타늄의 우수한 내식성 및 접착력을 결합하여, WTi는 CIGS 반도체로 다른 원자가 확산되는 것을 방지하는 이상적인 코팅으로 사용되어 CIGS 태양전지의 효율을 높입니다. WTi 타겟은 고순도(>99.95%), 고밀도, 그리고 미세하고 균일한 입자 크기(<100μm)를 특징으로 하며, 티타늄 함량은 일반적으로 10% 또는 20%입니다.

WNi 타겟(WNi targets)

WNi 타겟은 주로 전기광학 유리 분야에서 사용됩니다. WNi 타겟은 고순도(>99.95%), 고밀도, 그리고 미세하고 균일한 입자 크기(<100μm)를 특징으로 하며, 니켈 함량은 요구사항에 따라 25%에서 55%까지 조절 가능합니다.