이온 주입(scanning accelerator type)은 고에너지 도핑 원소 이온을 반도체 웨이퍼에 주입하여 필요한 도핑 농도와 접합 깊이를 얻는 방법입니다. 

화학적 순도가 높고 정밀하며 제어 가능한 공정 덕분에, 이온 주입은 독특한 연구 방법으로, 광학 재료의 굴절률 변경, 초전도 재료의 임계 온도 증가, 표면 촉매 작용, 자성 재료의 자화 강도 변경, 자기 버블의 이동 속도 개선, 그리고 중성자 방사 손상 시뮬레이션 등에 널리 사용됩니다.

이온 주입기의 이온 소스 시스템은 1.6~45mm 두께의 텅스텐 및 몰리브데넘 플레이트와 로드를 정밀 가공하여 제작된 텅스텐과 몰리브데넘 장치로 구성됩니다.